一則炒作

6月17日中午，外媒一則報(bào)道引發(fā)A股半導(dǎo)體股的狂歡。針對此，國內(nèi)某半導(dǎo)體重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室核心人士王仲對AI財(cái)經(jīng)社表示，這波報(bào)道是斷章取義，是一種炒作。

報(bào)道稱，中國制定了“第三代半導(dǎo)體”發(fā)展推進(jìn)計(jì)劃，并為該計(jì)劃準(zhǔn)備了約1萬億美元的資金。隨后，自媒體爭相跟進(jìn)。

當(dāng)天，A股半導(dǎo)體板塊大漲，半導(dǎo)體行業(yè)指數(shù)中46只成分股全部飄紅，38只成分股漲幅超過5%，甚至押注半導(dǎo)體股的明星基金經(jīng)理、諾安基金的蔡嵩松也重回微博熱搜，他管理的基金在當(dāng)日估算凈值漲幅達(dá)到7.28%。

資本市場熱烈反應(yīng)之下，王仲告訴AI財(cái)經(jīng)社，據(jù)他了解，這個事情的背景其實(shí)是5月14日在北京召開的一次會議。根據(jù)“工信頭條”公眾號的信息，這次會議上，科技部就“十四五”國家科技創(chuàng)新規(guī)劃編制工作做了匯報(bào)，領(lǐng)導(dǎo)小組成員單位及有關(guān)部門負(fù)責(zé)同志進(jìn)行了討論。此次會議還專題討論了面向后摩爾時(shí)代的集成電路潛在顛覆性技術(shù)。

“并沒有明確提到第三代半導(dǎo)體，萬億美元的投入更是不可能的事，全球加起來都沒有這么大的投入，這個市場全球預(yù)計(jì)也不過才100億美元。”王仲說到。

他表示，目前的報(bào)道都表達(dá)模糊，但撥動了市場的神經(jīng)，炒熱了輿論，也把半導(dǎo)體股炒起來了。他對此表達(dá)擔(dān)憂，認(rèn)為這可能會把國內(nèi)市場布局搞亂。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山也對AI財(cái)經(jīng)社表示，他不知道報(bào)道從何而來。而國內(nèi)碳化硅學(xué)界人士劉威也告訴AI財(cái)經(jīng)社：“昨天消息滿天飛，很多人士出來辟謠。”

“第三代半導(dǎo)體”并不比“第一代”先進(jìn)

那么什么是第三代半導(dǎo)體？為什么要炒作第三代半導(dǎo)體？它是否比所謂的第一代、第二代半導(dǎo)體更先進(jìn)？

上述專家告訴AI財(cái)經(jīng)社，實(shí)際上，第三代半導(dǎo)體不是第一代和第二代半導(dǎo)體的升級，它們是并存關(guān)系，各有各的應(yīng)用場景和優(yōu)勢。

第一代半導(dǎo)體是以硅材料為主，也是當(dāng)下大眾討論最普遍的半導(dǎo)體概念，它廣泛應(yīng)用在手機(jī)、電腦、電視等領(lǐng)域，比如英特爾的CPU、華為的麒麟芯片都采用硅基的半導(dǎo)體技術(shù)。第二代半導(dǎo)體以砷化鎵、銻化銦為代表，主要是功率放大，用于衛(wèi)星通訊、移動通訊、導(dǎo)航等領(lǐng)域。

第三代半導(dǎo)體以氮化鎵、碳化硅為代表的化合物半導(dǎo)體，主要面向三個市場：光電子、電力電子和微波射頻，更通俗一點(diǎn)說，像手機(jī)快充、新能源車、軌道交通和國家電網(wǎng)等是民用領(lǐng)域的幾大市場。

圖/視覺中國

王仲進(jìn)一步解釋，第三代半導(dǎo)體目前“還是一個小眾市場”，主要作為補(bǔ)充市場，當(dāng)今半導(dǎo)體市場90%仍然是以硅材料為代表的第一代半導(dǎo)體，第二代、第三代加起來不過10%。

上述資深研究者對AI財(cái)經(jīng)社表示，實(shí)際上第三代半導(dǎo)體的說法也是不嚴(yán)謹(jǐn)?shù)模诙鄠€場合也提到過這件事，國際的通用說法叫做寬禁帶，指的是禁帶寬度大于2.2eV的半導(dǎo)體材料。一位半導(dǎo)體界人士也告訴AI財(cái)經(jīng)社，在工信部等相關(guān)文件中和十四五規(guī)劃里都稱為“寬禁帶”半導(dǎo)體，而非第三代半導(dǎo)體，不知道外媒為何這次拿這個概念來做文章。

“國內(nèi)提出‘第三代半導(dǎo)體’這個概念，主要是跨領(lǐng)域交流和工作匯報(bào)，因?yàn)樾袠I(yè)術(shù)語有時(shí)讓人理解困難。但這個詞很容易也讓人們產(chǎn)生一種錯覺：第三代比第一代強(qiáng)。”王仲稱。

中外差距只有“半步”？

根據(jù)AI財(cái)經(jīng)社的了解，這次被熱炒的“第三代半導(dǎo)體”，全球基本處在同一起跑線上。

而過去很長一段時(shí)間，美國利用半導(dǎo)體技術(shù)對我國科技領(lǐng)域“卡脖子”，也激發(fā)了國內(nèi)的自強(qiáng)愿望和行動。但硅基半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國內(nèi)落后太多，追趕挑戰(zhàn)很大。碳化硅、氮化鎵行業(yè)被認(rèn)為存在“變道超車”的機(jī)會。

國內(nèi)碳化硅學(xué)界人士劉威告訴AI財(cái)經(jīng)社，“該技術(shù)中美之間的差距，“就是落后半步的事情，2年左右。”

“這個領(lǐng)域差距比較小，中國又坐擁全球最大的應(yīng)用市場，未來可以超過國外。”上述人士補(bǔ)充說，“不敢說技術(shù)上超越，但是規(guī)模肯定超過。”

多位人士稱，所謂的“第三代半導(dǎo)體”，產(chǎn)業(yè)鏈相比硅基更能自主可控。核心原因在于，不需要那么高精尖的制程。“與動不動就采用5納米甚至3納米的硅基半導(dǎo)體技術(shù)相比，它們遠(yuǎn)未達(dá)到幾納米級別，都在100納米以上。所以，并不需要像荷蘭ASML那種特別尖端的光刻機(jī)，也不要臺積電那種投入幾百億元的芯片制造廠。”

此外，它們對于EDA工具的要求也同樣沒有那么高。一位碳化硅專家對AI財(cái)經(jīng)社表示，現(xiàn)在碳化硅、氮化鎵半導(dǎo)體還停留在分立器件、獨(dú)立器件層面，不是大規(guī)模集成電路。“雖然目前國內(nèi)大多還是采用國外EDA軟件，但不需要依賴那么多復(fù)雜的功能。因此，EDA工具自主不是主要問題，起碼目前還不是。”

圖/視覺中國SiC芯片

不過，這并不代表它目前已達(dá)到全方位的自主。資深人士王仲總結(jié)稱，無論碳化硅還是氮化鎵，過去10年我國投的錢比美國多，整體技術(shù)與美國沒有明顯代差，但是鋪開來講的話，仍然受制于更底層的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)。“就好比華為能設(shè)計(jì)出麒麟芯片，但因?yàn)閲鴥?nèi)芯片制造差得很遠(yuǎn)，還是會被卡脖子。”他說，“實(shí)際上是拔出蘿卜帶出一堆泥，最后問題還是回到了看似不相關(guān)的事情上。”

“以碳化硅為例，最核心的問題是基礎(chǔ)材料，比如高純的碳粉和硅粉，我們在提純技術(shù)上有差距；而在碳化硅設(shè)備里，我們?nèi)狈Ω呒兊氖釄寮夹g(shù)；做器件的時(shí)候，我們的光刻機(jī)、光刻膠也是個問題。”

劉威也告訴AI財(cái)經(jīng)社，碳化硅半導(dǎo)體的制造設(shè)備仍較多依賴進(jìn)口，特別是“外延爐、離子注入機(jī)”等造價(jià)昂貴且有門檻的設(shè)備，動輒幾百萬上千萬元人民幣，主要還是靠買國外的。氮化鎵也面臨類似問題。

“還有很多功課要補(bǔ)，還有很長的路要走。缺乏支撐產(chǎn)業(yè)的任何一個環(huán)節(jié)，都是做不起來的。”王仲稱。

搶灘這一類半導(dǎo)體技術(shù)，國內(nèi)有機(jī)會，但需要整個體系的系統(tǒng)性發(fā)展。AI財(cái)經(jīng)社獲悉，西安電子科技大學(xué)設(shè)有寬禁帶半導(dǎo)體國家工程研究中心，華潤微國內(nèi)首條6英寸商用碳化硅晶圓生產(chǎn)線已經(jīng)正式量產(chǎn)，華創(chuàng)正在展開核心設(shè)備外延爐的研發(fā)，山東天岳等從事材料研發(fā)和生產(chǎn)。在應(yīng)用方面，華為、中車集團(tuán)、比亞迪等在從事相關(guān)產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化。之前，新能源車蔚來也推出一款氮化鎵手機(jī)快充產(chǎn)品，試水相關(guān)技術(shù)......越來越多的企業(yè)投入，推動了產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。但更基礎(chǔ)的環(huán)節(jié)仍需產(chǎn)學(xué)研合作布局。

氮化鎵功率芯片公司納微半導(dǎo)體中國區(qū)總經(jīng)理查瑩杰告訴AI財(cái)經(jīng)社，他從不相信存在什么“彎道超車”的概念。他認(rèn)為，技術(shù)是需要迭代，需要持續(xù)投入的。氮化鎵、碳化硅這類技術(shù)，看似所有人的起點(diǎn)都差不多，但實(shí)際上盤點(diǎn)整個上下游的核心產(chǎn)業(yè)，國內(nèi)的企業(yè)還是需要繼續(xù)發(fā)力。

“很多東西不是光靠投錢就能投出來的，都需要大量的技術(shù)投入跟不斷的試錯。這個真的是需要很長很長的時(shí)間。”查瑩杰說。

是個突破口，但切忌炒作

盡管整個產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè)不能一蹴而就，但業(yè)界人士認(rèn)為，“第三代半導(dǎo)體”對國內(nèi)來說確實(shí)是一個突破口。

半導(dǎo)體界的資深人士認(rèn)為，“第三代半導(dǎo)體”處在快速發(fā)展的前期，“跟國外是前后腳”。

另一方面，它們在碳中和、碳達(dá)峰方面可以發(fā)揮優(yōu)勢。新能源車、軌道交通、能源互聯(lián)網(wǎng)，這些領(lǐng)域都是“第三代半導(dǎo)體”發(fā)揮作用的大領(lǐng)域，“現(xiàn)在市場也起來了，意識到要用這些新技術(shù)和新產(chǎn)品，這是一個機(jī)會。”

圖/視覺中國

此前，手機(jī)廠商競相推出的快充充電器，一度讓氮化鎵進(jìn)入公眾視野，其原因就在于氮化鎵的技術(shù)與硅基半導(dǎo)體相比，功率高、充電快、體積小，能夠更好地滿足用戶充電的需求。

更重要的一點(diǎn)是，發(fā)展“第三代半導(dǎo)體”需要的投入與硅基的半導(dǎo)體相比，投資規(guī)模要小很多。多個業(yè)內(nèi)人士告訴AI財(cái)經(jīng)社，硅基半導(dǎo)體的投資巨大，光是建制造廠都是從幾百億起，而“第三代半導(dǎo)體”只要10億元就能建起一個一般規(guī)模的制造廠。

但王仲也提醒，對“第三代半導(dǎo)體”的關(guān)注不要發(fā)展為炒作，以免重蹈當(dāng)年LED的覆轍。多年前，氮化鎵在LED照明產(chǎn)業(yè)取得重大突破，這一消息振奮了整個照明界。采用氮化鎵技術(shù)，不但有效解決散熱問題，還能使單位面積亮度提升10倍。隨后，LED燈的消費(fèi)被迅速炒熱，但也給行業(yè)帶來潛在危機(jī)。

一方面，LED企業(yè)陷入價(jià)格戰(zhàn)，當(dāng)時(shí)18W的LED燈管從上百元下降到十元以內(nèi)，市場陷入混亂，企業(yè)的利潤空間急劇下降。另一方面，上市公司利用資本打擊競爭對手，急于上市的中小企業(yè)則由于沒有利潤、資金鏈斷裂而退出市場。

王仲形容，整個LED產(chǎn)業(yè)被炒得過熱后，迎來了整個產(chǎn)業(yè)的至暗時(shí)刻。有關(guān)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，到了2015年全國約有4000家LED企業(yè)（包括上游芯片及中游下游照明應(yīng)用）消失，尤其是下游企業(yè)。多個投入LED產(chǎn)業(yè)園的地方政府，也累計(jì)了一堆債務(wù)。

他認(rèn)為，這次“第三代半導(dǎo)體”概念出來后，資本、自媒體、甚至一些行業(yè)人士參與進(jìn)來熱炒想要賺一把，這是需要謹(jǐn)慎的。“我們很擔(dān)心一炒作又把股價(jià)炒的老高，然后呼啦啦又下去，這是一個很糟糕的事情。”他稱，外部的炒作會讓行業(yè)變得浮躁，人才和設(shè)備的價(jià)格更加高企，這些成本的無序增加會給產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來傷害。比如，過去一臺200多萬元的設(shè)備，現(xiàn)在已經(jīng)炒到2000萬元了。

針對現(xiàn)在一些二三線城市要發(fā)展“第三代半導(dǎo)體”，王仲提醒稱：“半導(dǎo)體投資需要資金、人才和管理，有些地方可能能出10億，但支撐工藝制造和管理的專用人才和團(tuán)隊(duì)從哪來，如果這些搞不清楚很難把產(chǎn)業(yè)做起來。”

總體而言，“第三代半導(dǎo)體”是個突破口，但不能無序炒作，產(chǎn)業(yè)需要理智的氛圍。

（文中王仲、劉威為化名）