3月25日，半導體功率器件廠商安建半導體宣布獲1.8億元B輪融資，本輪融資由超越摩爾投資領投，弘鼎資本、龍鼎投資、聯和資本、君盛投資和金建誠投資跟投。此次資金將主要用于高、低壓MOS和IGBT全系列產品開發、第三代半導體SiC器件開發和IGBT模塊封測廠建設。

談及此次投資邏輯，超越摩爾董事總經理史晶星博士表示，功率器件是中國最大概率可以實現彎道超車的賽道，也一直是超越摩爾的重點布局方向之一。

據了解，安建半導體成立于2016年，專注于半導體功率器件的研發、設計和銷售。

目前，安建半導體的產品線已經涵蓋大部分MOS管和IGBT產品，其中已有三條產品線實現量產，分別是低電壓的SGT-MOS管（屏蔽柵金屬氧化物場效應晶體管）、高電壓的SJ-MOS管（超結金屬氧化物場效應晶體管）、Field Stop Trench IGBT（場截止溝槽型絕緣柵雙極晶體管），產品均具有高性能高可靠性。

未來，安建半導體還將針對不同應用場景還將繼續開發不同性能和不同規格的產品，實現功率器件所有電壓和電流全覆蓋，完成做全系列高低壓MOS管和IGBT產品的目標。

團隊方面，創始人單建安本碩博畢業于加拿大多倫多大學電氣工程專業，1988年博士畢業后任美國紐約飛利浦研究所高級研究員，1991年回國一同創辦香港科技大學，任電子與計算機工程系教授。在港科大任教期間，單建安一直在做功率器件的技術儲備和人才培訓，2015年受邀參與中國香港上市公司華虹半導體重要會議，會議決定雙方綁定合作，次年正式成立安建半導體研發半導體功率器件。