近日，芯科半導(dǎo)體完成A+輪融資，投資方包括了中贏創(chuàng)投。本輪融資主要用于產(chǎn)線建設(shè)與基建建設(shè)。

芯科半導(dǎo)體是中國(guó)碳化硅（SiC）第三代半導(dǎo)體摻雜技術(shù)研究及器件研發(fā)、設(shè)計(jì)、制成、應(yīng)用、銷售為一體的機(jī)構(gòu)。致力于大功率半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和外延生長(zhǎng)、MOSFET、IGBT芯片設(shè)計(jì)與應(yīng)用、第三代半導(dǎo)體功率器件封裝與散熱，公司向全球功率器件消費(fèi)者提供優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品和服務(wù)。

公司的技術(shù)優(yōu)勢(shì)有以下三點(diǎn)，一是提出了第三代半導(dǎo)體摻雜機(jī)理，實(shí)現(xiàn)相關(guān)模擬計(jì)算；二是控制溫場(chǎng)和流場(chǎng)分布、降低缺陷并增加外延厚度，獲得均勻的SiC同質(zhì)異性外延厚度高于200μm；獲得器件的擊穿電壓高于20kV，載流子遷移率高于15cm2/V·s，正向電流密度高于100A/cm2 ；三是采用高速-低速，高溫-低溫，單源-多源的有機(jī)結(jié)合，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體精準(zhǔn)可控?fù)诫sSiC功率器件得到了國(guó)家青年“973“項(xiàng)目的支持 。

據(jù)悉，公司的基礎(chǔ)核心產(chǎn)品以SIC肖特基二極管、MOSFET管為代表，其中600V/2A-100A，1200V/2A-50A，1700V/5A-50A，3300V/0.6A-50A等系列的碳化硅肖特基二極管、MOSFET管產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn)。