近日，有關“新型5nm超高精度激光光刻加工方法”論文的通訊作者、中科院研究員、博士生導師劉前在接受媒體采訪時澄清，這一技術與高端光刻機采用的極紫外光刻技術（EUV）是兩回事。

今年7月，中科院網站刊登了一則國產5nm光刻技術獲突破的新聞，中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所張子旸研究員，與國家納米科學中心劉前研究員合作，在《納米外報》上發表了一篇研究論文，述了該團隊開發的新型5nm超高精度激光光刻加工方法。

中科院突破5nm光刻技術的新聞，恰逢華為遭遇美國技術封鎖、尋求出路的時刻。這一突破讓國人看到了希望。消息一出，社交媒體上一片沸騰。但隨后這條新聞被刪除。

劉前解釋，中科院研發的5nm超高精度激光光刻加工方法的主要用途是制作光掩模，這是集成電路光刻制造中不可缺少一個部分，也是限制最小線寬的瓶頸之一。但即便這一技術實現商用化，要突破光刻機巨頭荷蘭公司ASML的壟斷，還有很多核心技術需要突破，例如鏡頭的數值孔徑、光源的波長等。況且這一技術目前還在實驗室階段。

按照制程，光刻機工藝可以分為180nm、90nm、65nm、45nm、22nm、14nm、7nm等。根據外媒報道，在日前的ITF論壇上，與全球光刻機巨頭ASML合作研發半導體光刻機的比利時半導體研究機構 IMEC 正式公布，ASML對于3納米、2納米、1.5納米、1納米，甚至是小于1納米的工藝都做了清楚的發展規劃。

國內的光刻機到底在什么水平？一位半導體產業界資深人士對AI財經社說，目前可以實現180nm制程，但還在試用階段，仍需要攻克。

一位光刻機行業人士曾對AI財經社透露，據他了解，目前上海微電子僅有一臺尚沒有量產、能做到90nm制程的光刻機，使用的實際上是海外20年前的光源技術。

在國家2008年啟動的扶持芯片設備的02專項中，光刻機是花錢最多的項目，一投就是10多年，為什么一直沒有做出追趕世界潮流的先進產品？

前述半導體行業人士稱，這并不完全是技術問題，而是產業環境問題。在華為事件發生之前，國產設備一直處于鄙視鏈下游，客戶都不愿意配合使用和測試。“送給別人用，人家都不愿意花時間，天生覺得你不行，在那種狀態下，干著都沒勁。”

社交媒體上，有疑似上海微電子的員工留言說，2015年曾給國內某芯片制造廠送了一臺樣機，最后機器一直放在廠房里成了一堆廢鐵。

但在華為事件的催化下，國內廠商都看到了芯片被卡脖子的嚴重后果。前述半導體行業人士觀察，這兩年光刻機的進展快了很多。“被逼到絕路上的時候，大家都拼命幫你做，這和你自己干的勁頭是不一樣的。但是光刻機的進展肯定不會那么快，總體來說得一步步地往前走。”