用于半導(dǎo)體前道電子束量測設(shè)備制造,青田恒韌完成新一輪融資
近日,青田恒韌智能科技有限公司(以下簡稱“青田恒韌”)完成了新一輪融資,由啟迪之星投資,資金將用于半導(dǎo)體前道電子束量測設(shè)備CD-SEM的研發(fā)制造。
據(jù)悉,電子束檢測設(shè)備主要利用電子束掃描wafer表面并接收其散射信號,從而獲取wafer表面信息的高精度檢測設(shè)備;電子束檢測設(shè)備在半導(dǎo)體領(lǐng)域,用于保證和提高半導(dǎo)體產(chǎn)線的良率。電子束檢測設(shè)備本身面臨著極高的技術(shù)門檻,研發(fā)難度極大,CD-SEM設(shè)備領(lǐng)域長期被Hitachi一家全球壟斷。
青田恒韌作為一家專注于研發(fā)制造CD-SEM設(shè)備的高科技企業(yè),團隊成員早在2019年底就率先提出研發(fā)CD-SEM設(shè)備的目標(biāo);2021年年中完成DEMO機的軟件工作;2022年全面轉(zhuǎn)向CD-SEM用掃描電鏡的研究工作;2023年年中初步掌握高端CD-SEM用掃描電鏡的底層核心技術(shù),并于該年年底,在充分研究CD-SEM用掃描電鏡和軟件架構(gòu)的基礎(chǔ)上,理清軟硬件之間的復(fù)雜勾稽關(guān)系,完成CD-SEM設(shè)備軟件部分的完整架構(gòu)工作。公司一步步扎實取得的階段性研發(fā)成果,為在中國有望率先取得高端CD-SEM設(shè)備“0”的突破奠定了堅實基礎(chǔ)。
青田恒韌創(chuàng)始人趙博士表示:“高端的CD-SEM設(shè)備(20nm的溝槽量測)涉及到眾多學(xué)科,以及眾多學(xué)科之間的交叉影響問題,是個很復(fù)雜的工程化設(shè)備,極具挑戰(zhàn)性。我們基于CD-SEM研究的底層物理關(guān)系顯示,高端CD-SEM的難度,相比于低端CD-SEM(大于100nm的溝槽量測)的難度,完全是天壤之別;低端的CD-SEM設(shè)備,如果不能完成對標(biāo)Hitachi的完整軟件架構(gòu),設(shè)備的穩(wěn)定性、準(zhǔn)確性就談不上,也就無法跨越向高端CD-SEM邁進的鴻溝。”
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